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硅膜厚度測量
實驗光路圖
實物光路連接圖
實驗背景目的：
各種介質、半導體和金屬的薄膜在電子工業、光學工業和化學工業等得到了廣泛的使用。膜層的厚度對器件或儀器的性能有直接影響。如硅徽型電路的介質層的厚度和成分，對半導體工業具有很大的重要性，這些膜層的厚度將決定集成電路器件的性能和可靠性。萊森光學可提供膜厚測量服務，通過無損的光學測量方法，基于白光干涉原理，使用光纖光譜儀實現膜厚測量，以比傳統的方法更精度更高，測量速度更快地測量出硅片的膜厚。
實驗結果：
實驗使用單晶硅作為白參考，所以以下的實驗數據都是考慮了單晶硅的反射率的。以下計算薄膜的算法使用的是光譜白光干涉，擬合使用L-M擬合和PS優化結合使用。計算結果如下表格：
樣品名字/位置 | 厚度/nm |
樣品1-1 | 600.021 |
樣品1-2 | 601.498 |
樣品1-3 | 604.675 |
樣品1-4 | 601.737 |
樣品1-5 | 596.645 |
樣品2-1 | 417.323 |
樣品2-2 | 417.001 |
樣品2-3 | 419.159 |
樣品2-4 | 418.875 |
樣品2-5 | 418.504 |
樣品3-1 | 510.566 |
樣品3-2 | 575.974 |
樣品3-3 | 579.537 |
樣品3-4 | 445.861 |
樣品3-5 | 440.772 |
樣品1-1
樣品1-2
樣品1-3
樣品1-4
樣品1-5
樣品2-1
樣品2-2
樣品2-3
樣品2-4
樣品2-5
樣品3-1
樣品3-2
樣品3-3
樣品3-4
樣品3-5
實驗結論：
編號 | 平均膜厚(nm) | 標準偏差值 |
1 | 601.98275 | 2.9234102% |
2 | 418.1724 | 0.957946136% |
3 | 510.542 | 67.25537504% |
