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專注光譜傳感和光電應(yīng)用系統(tǒng)
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原位電化學(xué)干涉散射成像-共聚焦拉曼關(guān)聯(lián)系統(tǒng)，高分辨、原位表征、獨(dú)特的離子遷移觀測(cè)解決方案
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萊森光學(xué)與譜光慧聯(lián)攜手合作，共同推動(dòng)光學(xué)與光譜檢測(cè)技術(shù)的創(chuàng)新與應(yīng)用，推出了科學(xué)級(jí)共聚焦拉曼、熒光、角分辨、偏振光譜，以及瞬態(tài)熒光與瞬態(tài)吸收等多種穩(wěn)態(tài)瞬態(tài)光譜測(cè)試系統(tǒng)。萊森光學(xué)與譜光慧聯(lián)雙方都具有在光學(xué)成像與光譜檢測(cè)技術(shù)領(lǐng)域20年的開發(fā)經(jīng)驗(yàn)和積累，雙方的強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合，一起拓展光譜技術(shù)在高端科學(xué)級(jí)光譜儀器行業(yè)的應(yīng)用，提供更為全面、專業(yè)的光譜解決方案，以滿足高校、科研單位對(duì)科學(xué)級(jí)高端光譜儀器日益增長(zhǎng)的需求。
干涉散射成像，是基于顯微成像技術(shù)拓展而來的，具有高分辨和高對(duì)比度的成像技術(shù)。其利用激光寬場(chǎng)照明，獲得樣品對(duì)激光的散射信號(hào)，再通過干涉方式對(duì)樣品表面進(jìn)行成像。由于干涉信號(hào)對(duì)樣品表面的折射率變化異常敏感，因此能夠以極高的空間分辨率對(duì)電化學(xué)充放電過程中所引起的顆粒表面的細(xì)微變化進(jìn)行成像，并以高對(duì)比度反映充放電時(shí)離子化合物的形成、變化和遷移過程并分析其電化學(xué)機(jī)理。
該系統(tǒng)還結(jié)合了共聚焦顯微拉曼成像技術(shù)，能夠在樣品同一位置原位實(shí)現(xiàn)干涉散射成像與共聚焦拉曼光譜的表征，從而綜合表征充放電過程中材料的結(jié)構(gòu)、成分等性質(zhì)的變化，以及離子遷移的過程。
獨(dú)特的干涉散射成像模式，反映離子化合物的形成、遷移和分布
可原位獲得樣品同一區(qū)域的干涉散射成像和拉曼光譜/mapping結(jié)果
極高的空間分辨率（300nm@720nm波長(zhǎng)）
自動(dòng)聚焦等自動(dòng)化操作和數(shù)據(jù)采集功能，確保光路的穩(wěn)定性，以及易用性
電化學(xué)、電池材料
二維材料等微納米材料
